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HST502
1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 特性：120A，100V，RDS(on)(Typ) = 4.9mΩ @VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。 改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HST502
- 商品编号
- C19725821
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.794克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 172W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.81nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25.7pF@40V | |
| 类型 | N沟道 |