温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HSD60N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：60A, 100V, RDS(on)(Typ) = 8.5mΩ @VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。改善的dv/dt能力。应用：高频开关模式电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HSD60N10
- 商品编号
- C19725802
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4676克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 91W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 36.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 62pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 795pF |
商品特性
- 60A、100V,RDS(on)(典型值) = 8.5 mΩ(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改善的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正