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HCD65R600
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 特性：7.0A, 650V。RDS(on)(Typ) = 520mΩ@VGS = 10V。低栅极电荷。低Crss。100%雪崩测试。快速开关。应用：高频开关模式电源。有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HCD65R600
- 商品编号
- C19725798
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4636克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 423pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@25V | |
| 类型 | N沟道 |
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