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HCF65R180
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
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- 描述
- 特性：20.0A，650V。 RDS(on)(Ty) = 180mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用：高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- HCF65R180
- 商品编号
- C19725792
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.472克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.17nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 类型 | N沟道 |
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