SMF18N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
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- 描述
- 特性:18.0A, 500V。 RDS(on)(Ty) = 270mΩ @ VGS = 10V。 低栅极电荷。 低Crss。 100%雪崩测试。 快速开关。应用:高频开关模式电源。 有源功率因数校正
- 品牌名称
- HUAKE(华科)
- 商品型号
- SMF18N50
- 商品编号
- C19725789
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.951克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
AO3404采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。源极引脚相互分离,可实现源极的开尔文连接,用于旁路源极电感。
商品特性
- 18.0A、500V,RDS(on)(典型值)=270 mΩ(VGS = 10 V时)
- 低栅极电荷
- 低Crss
- 100%雪崩测试
- 快速开关
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正
