温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMBTH81
PNP 电流:50mA 电压:20V
- 描述
- 此器件适用于收集器电流为 1.0 mA 至 30 mA 范围的，最高 250 mHz 的通用射频放大器和混频器应用。源自 Process 75。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MMBTH81
- 商品编号
- C190349
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60@5.0mA,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 600MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV@5mA,0.5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V |
产品属性 属性值
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
系列: MMBTH81
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
集电极连续电流: 0.05 A
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Cut Tape
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 60 at 5 mA at 10 V
高度: 0.93 mm
长度: 2.92 mm
工作频率: 600 MHz
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT: 600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流: 0.05 A
Pd-功率耗散: 225 mW
工厂包装数量: 3000
零件号别名: MMBTH81_NL
单位重量: 8 mg
制造商: ON Semiconductor
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
系列: MMBTH81
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: PNP
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
集电极—发射极最大电压 VCEO: 20 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 3 V
集电极连续电流: 0.05 A
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Cut Tape
封装: Reel
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
直流电流增益 hFE 最大值: 60 at 5 mA at 10 V
高度: 0.93 mm
长度: 2.92 mm
工作频率: 600 MHz
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.3 mm
商标: ON Semiconductor / Fairchild
增益带宽产品fT: 600 MHz (Min)
最大直流电集电极电流: 0.05 A
Pd-功率耗散: 225 mW
工厂包装数量: 3000
零件号别名: MMBTH81_NL
单位重量: 8 mg
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 36000 个)个
起订量：36000 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交45单