SI7121DN-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- P沟道,Vds=-30V,Id=-18A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7121DN-T1-GE3
- 商品编号
- C190356
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.176克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.87nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 212pF@15V | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
梯度价格
梯度
折扣价
原价
折合1圆盘
1+￥3.5
10+￥2.85
30+￥2.53
100+￥2.0995￥2.21
500+￥1.9095￥2.01
1000+￥1.8145￥1.91￥5730
优惠活动
库存总量
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购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个 )个
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￥ 0.00近期成交10单
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