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RCLAMP3324P.TNT

ESD 3.3V截止峰值脉冲电流：4.5A@8/20us

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描述: RailClamp324P可为高速数据接口提供ESD保护。其特点是，根据IEC 61000 - 4 - 2标准，最大ESD耐受电压高，接触放电为±17kV，空气放电为±20kV。RClamp3324P旨在将ESD峰值钳位和TLP钳位降至最低。每个引脚的封装电感都有所降低，从而降低了ESD峰值钳位电压。动态电阻低至0.15欧姆（典型值），处于行业最低水平。每条线路对地的最大电容为0.65pF，这使得RClamp3324P可用于超过5GHz的应用中，且不会造成信号衰减。每个器件最多可保护四条线路（两对高速线）。RClamp3324P采用10引脚DFN封装，尺寸为2.5x1.0mm，标称高度为0.60mm。引脚的标称间距为0.50mm。直通式封装设计简化了PCB布局，并能保持高速线路的信号完整性。低ESD峰值钳位、低动态电阻和创新的封装设计相结合，使该器件能够为诸如USB 3.1 Gen 1、eSATA和DisplayPort等应用提供最高级别的ESD保护。
品牌名称: SEMTECH
商品型号: RCLAMP3324P.TNT
商品编号: C1976652
商品封装: DFN-10(2.5x1.0)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.021429克(g)

商品参数

商品概述

RailClamp324P可为高速数据接口提供ESD保护。其特点是，根据IEC 61000 - 4 - 2标准，最大ESD耐受电压高，接触放电为±17kV，空气放电为±20kV。RClamp3324P旨在将ESD峰值钳位和TLP钳位降至最低。每个引脚的封装电感都有所降低，从而降低了ESD峰值钳位电压。动态电阻低至0.15欧姆（典型值），处于行业最低水平。每条线路对地的最大电容为0.65pF，这使得RClamp3324P可用于超过5GHz的应用中，且不会造成信号衰减。每个器件最多可保护四条线路（两对高速线）。 RClamp3324P采用10引脚DFN封装，尺寸为2.5x1.0mm，标称高度为0.60mm。引脚的标称间距为0.50mm。直通式封装设计简化了PCB布局，并能保持高速线路的信号完整性。低ESD峰值钳位、低动态电阻和创新的封装设计相结合，使该器件能够为诸如USB 3.1 Gen 1、eSATA和DisplayPort等应用提供最高级别的ESD保护。

商品特性

符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准的瞬态保护：20kV（空气）、17kV（接触）；符合IEC 61000 - 4 - 4（EFT）标准：4kV（5/50ns）；符合IEC 61000 - 4 - 5（浪涌）标准：4.5A（8/20µs）
针对高速布局优化的封装设计
保护四条高速数据线
工作电压：3.3V
低电容：最大0.65pF（I/O到地）
动态电阻：0.15欧姆（典型值）
固态硅雪崩技术

应用领域

USB 3.1 Gen 1
工业设备
数字视频接口
LVDS接口
eSATA

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	极性	-
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	4.5V
	峰值脉冲电流(Ipp)	4.5A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	-
	击穿电压	8V

	属性	参数值
	反向电流(Ir)	150nA
	通道数	-
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-2；IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5
	类型	ESD
	Cj-结电容	0.65pF