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3N06-MS
1个N沟道 耐压:60V 电流:3A
- 描述
- 3N06-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 3N06-MS
- 商品编号
- C19272806
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1389克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 247pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.5pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无铅，符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令