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5N10S-MS
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 5N10S-MS 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。5N10S-MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 5N10S-MS
- 商品编号
- C19272808
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.211克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.535nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源