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3400N-MS
1个N沟道 耐压:30V 电流:7A
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- 描述
- 3400N-MS 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400N-MS 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 3400N-MS
- 商品编号
- C19272813
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1543克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 602pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 56pF |
商品概述
IRF640NS是采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
-提供绿色环保器件-超低栅极电荷-出色的Cdv/dt效应抑制-先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 高频开关模式电源
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