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3401P-MS
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 3401P-MS采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 3401P-MS
- 商品编号
- C19272814
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1552克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- VDS = 85 V，VGS = 10 V、ID = 120 A时，Rds(on) < 5 mΩ（典型值：4.4 mΩ）
- 快速开关
- 低导通电阻（RDS(on) ≤ 5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 开关应用
- 电机驱动器