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20N04-MS
1个N沟道 耐压:40V 电流:15A
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- 描述
- 20N04-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N04-MS符合RoHS标准和绿色产品要求。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 20N04-MS
- 商品编号
- C19272812
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
3401P-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。3401P-MS P沟道增强型功率MOSFET
商品特性
~~- 高功率和电流处理能力-提供无铅产品-表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理