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5N10T-MS
耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 低导通电阻RDS(on)和品质因数（FOM）；极低的开关损耗；出色的稳定性和一致性；快速开关和软恢复特性。
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- 5N10T-MS
- 商品编号
- C19272807
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 206pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 29pF |
商品概述
MLS65R580P是采用先进超结技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，可降低导通损耗，提升开关性能。该晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- VDS = 650 V，ID = 8 A，RDS(ON) < 0.58 Ω@VGS = 10 V
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流-直流(DC/DC)转换器