温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASW65R022EFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:109A 停产
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW65R022EFD
- 商品编号
- C19192889
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.932克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 223nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.747nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.14pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 326pF |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 19 , \textmΩ(典型值)
- 栅极开关易于控制
- 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑。
- 电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视以及 LED 照明。
相似推荐
其他推荐