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FDB390N15A-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:45A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电动车电机控制器、太阳能光伏逆变器、工业自动化设备等领域。TO263；N—Channel沟道,150V；45A；RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=4~6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDB390N15A-VB
- 商品编号
- C19190140
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V；42mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA；6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 290pF |
商品特性
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5 kVRMS（t = 60 s；f = 60 Hz）
- 集电极至引脚爬电距离 = 4.8 mm
- 工作温度达 175 °C
- 动态 dV/dt 额定值
- 低热阻
- 提供无铅（Pb）版本