温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTF3055-100T3G-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NTF3055-100T3G-VB
- 商品编号
- C19190162
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 76mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 810pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 负载开关-功率放大器 (PA) 开关-DC/DC 转换器
相似推荐
其他推荐
- PSMN1R8-30PL-VB
- RU3030M2-VB
- SI1414DH-T1-GE3-VB
- SI2315BDS-T1-GE3-VB
- SI4554DY-T1-E3-VB
- SI7456DP-T1-GE3-VB
- SI7940DP-VB
- SPD07N60C3T-VB
- SPP3401S23RG-VB
- SQD50N06-07L-GE3-VB
- STD40NF10T4-VB
- STP14NF12-VB
- STP7NA60FI-VB
- SUB45N05-20L-VB
- SUD25N15-52-E3-VB
- TPC8045-H-VB
- TSM2303CXRFG-VB
- UTT50N06L-TN3-R-VB
- WPM9435-8/TR-VB
- ZXMP3A13FTA-VB
- QM3807M6-VB