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STP7NA60FI-VB
1个N沟道 耐压:650V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有高性能和可靠性，适用于各种功率电子应用，提供稳定可靠的电气特性。TO220F；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=1100mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
STP7NA60FI-VB商品编号
C19190175商品封装
TO-220F包装方式
管装
商品毛重
1.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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