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5N60 TO252-VB
1个N沟道 耐压:650V
描述
TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
5N60 TO252-VB商品编号
C19190196商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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