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SI4554DY-T1-E3-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:9A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±40V；9/-8A；RDS(ON)=15/17mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI4554DY-T1-E3-VB
- 商品编号
- C19190167
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V,6.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 5.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.345nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 245pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 792pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态 dV/dt 额定值
- 重复雪崩额定值
- 快速开关
- 易于并联
- 驱动要求简单
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
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