MTP50P03HDLG-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
- 描述
- 台积电流片,长电科技封装;是一款功率MOSFET,采用了Trench技术,具有优良的性能和稳定性。适用于各种功率电路和模块,能够在高压和高电流下稳定工作。TO220;P—Channel沟道,-30V;-70A;RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-1~-2.5V;
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- MTP50P03HDLG-VB
- 商品编号
- C19190159
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 390pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流
- 电源
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