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IPB034N06L3G-VB
1个N沟道 耐压:60V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，具有适中的功率承载能力、适中的导通电阻和稳定的工作特性，能够满足中等功率、高电流应用的要求，适用于中等功率电路控制和驱动应用的MOSFET产品。TO263；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IPB034N06L3G-VB商品编号
C19190150商品封装
TO-263包装方式
管装
商品毛重
5.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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