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IRF630NPBF-VB
1个N沟道 耐压:200V
描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFE，采用Trench工艺，适用于各种低功耗和中功率应用。TO220；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=270mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
IRF630NPBF-VB商品编号
C19190152商品封装
TO-220包装方式
管装
商品毛重
2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - |
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