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HY4504B-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HY4504B-VB
- 商品编号
- C19190149
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 结温175 °C
- 新型低热阻封装
- 脉宽调制（PWM）优化
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 初级侧开关
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