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FDMA1024NZ-VB
N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双通道N沟道场效应晶体管，采用rench技术，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电池管理、电源开关和LED照明等领域的模块中DFN6(2X2)；2个N—Channel沟道,30V；5.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- FDMA1024NZ-VB
- 商品编号
- C19190142
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,5.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 886pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 117pF |
商品特性
- 根据 IEC 61249-2-21 定义为无卤产品
- 低阈值：2 V（典型值）
- 低输入电容：25 pF
- 快速开关速度：25 ns
- 低输入和输出泄漏电流
- 沟槽功率 MOSFET
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
应用领域
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS
- 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器