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NCE0160G实物图
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NCE0160G

NCE0160G

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商品型号
NCE0160G
商品编号
C19089424
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))16mΩ@10V
耗散功率(Pd)105W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

商品概述

NCE0160G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于PWM、负载开关和通用应用。

商品特性

  • VDS = 100V,ID = 60A
  • RDS(ON) < 16 m Ω(@ VGS = 12.6 V)
  • 专为转换器和电源控制设计
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完整
  • 高 EAS,稳定性和一致性好
  • 采用散热性能良好的封装

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF