立创商城logo
购物车0
预售商品
NCE40H30D实物图
  • NCE40H30D商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE40H30D

NCE40H30D

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
NCE40H30D
商品编号
C19089458
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)300A
导通电阻(RDS(on))1.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)350W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)249nC@10V
输入电容(Ciss)11.635nF
反向传输电容(Crss)1.229nF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.36nF

商品概述

NCE40H30D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下实现出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。

商品特性

  • VDS = 40V,ID = 300A
  • 在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 1.8 m Ω
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
  • 出色的封装,散热性能良好
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

  • 电源开关应用
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF