商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 145pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NCE55P15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = -55V,ID = -15A
- 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) < 75 m Ω
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- DC - DC转换器