NCE55P15

NCE55P15采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON),适用于多种应用场景。

• VDS = -55V,ID = -15A
• 在 VGS = -10V 时,RDS(ON) < 75 m Ω
• 高密度单元设计,实现超低导通电阻
• 雪崩电压和电流特性完全表征
• 出色的封装,散热性能良好

• 电源开关应用
• 硬开关和高频电路
• DC - DC转换器