商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 158pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
NCE6525Q采用先进的沟槽技术和设计,可提供出色的RDS(ON)且栅极电荷较低。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 65V,ID = 25A
- RDS(ON) < 20 m Ω(@ VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 25 m Ω(@ VGS = 4.5 V)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高 EAS 下具有良好的稳定性和一致性
- 采用利于散热的出色封装
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
应用领域
- 功率开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源