商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE01P18采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景,具备ESD保护功能。
商品特性
- VDS = -100V,ID = -18A
- RDS(ON) < 100 m Ω(在 VGS = -10 V 时,典型值为85mΩ)
- 超高密度单元设计
- 先进的沟槽工艺技术
- 可靠耐用
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备和电池供电系统