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NCE0130GA
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.479nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 79pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 96pF |
商品概述
NCE1504R采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 150V，漏极电流ID = 4A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 180 mΩ（典型值：140 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路