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NCE1504R实物图
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NCE1504R

NCE1504R

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商品型号
NCE1504R
商品编号
C19089454
商品封装
SOT-223-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.212克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on))180mΩ@10V
耗散功率(Pd)4W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)900pF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)115pF

商品概述

NCE1504R采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 150V,漏极电流ID = 4A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 180 mΩ(典型值:140 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 散热性能良好的出色封装

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路

数据手册PDF