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NCE0250D

NCE0250D

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商品型号
NCE0250D
商品编号
C19089441
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1.845克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)270W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)5.46nF
反向传输电容(Crss)161pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)603pF

商品概述

NCE0250D采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

商品特性

  • VDS = 200V,ID = 50A
  • RDS(ON) < 40 m Ω @ VGS = 10 V (典型值:30 m Ω )
  • 高密度单元设计,实现超低 RDS(ON)
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高 EAS ,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能良好的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高ESD能力

应用领域

-电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF