NCE20NP1006S
NCE20NP1006S
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE20NP1006S
- 商品编号
- C19089420
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 691pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 128pF |
商品概述
NCE20NP1006S采用先进的沟槽技术,具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于构成电平转换高端开关,以及其他众多应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 20V,漏极电流ID = 10A
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 14mΩ
- 当栅源电压VGS = 2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 18mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -20V,漏极电流ID = -6A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 45mΩ
- 当栅源电压VGS = -2.5V时,导通电阻RDS(ON) < 60mΩ
- 高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- 引脚无铅电镀
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
-电源管理