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CRSM043N10N4
SkyMOS4 N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS4技术。 极低的导通电阻RDS(on)。 出色的Qg × RDS(on)乘积（FOM）。 根据JEDEC标准合格。应用：AC/DC快速充电器的同步整流。 电池管理
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CRSM043N10N4
- 商品编号
- C18905993
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19506克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3165nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.272nF |
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