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AO4435A
1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS） = -30V。 漏极电流（ID） = -12A。 导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（栅源电压VGS = 10V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4435A
- 商品编号
- C18295969
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193205克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.175nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 195pF |
商品概述
AO4435A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS(V)） = -30V
- 漏极电流（ID） = -12A
- 导通电阻（RDS(ON)） < 20mΩ（栅源电压（VGS） = 10V）
- IPD50P04P4L11(UMW)
- FDD4685(UMW)
- IPD088N06N3G(UMW)
- IRFR1018ETR(UMW)
- NTD4805NT4G(UMW)
- FDD6676AS(UMW)
- FDD068AN03L(UMW)
- FDD044AN03L(UMW)
- FDD6796A(UMW)
- FDD7030BL(UMW)
- ISL9N306AD3ST(UMW)
- FDD6776A(UMW)
- FDD8586(UMW)
- IPD050N03LGATMA1(UMW)
- BC850C
- KAF15AR71H273JT
- KAF15AR72D102KT
- KAF15BR71E224KT
- KAF21BR72A103JT
- KAF31GR72A225KU
- KAF32LR71H106KU