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ISL9N306AD3ST(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 此设备采用了新的先进沟槽技术，在保持低导通电阻的同时具有低栅极电荷。针对开关应用进行了优化，可提高 DC/DC 转换器的整体效率，并允许在更高的开关频率下运行。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- ISL9N306AD3ST(UMW)
- 商品编号
- C18295981
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4922克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V；8.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术，具备低栅极电荷特性，同时保持低导通电阻。它针对开关应用进行了优化，能够提升直流-直流转换器的整体效率，并支持更高的工作开关频率。
商品特性
- V_DS(V) = 30V
- I_D = 50A
- R_DS(ON) < 5.2mΩ (V_GS = 10V)
- R_DS(ON) < 8.5mΩ (V_GS = 4.5V)
- Q_g(典型值) = 30nC，V_GS = 5V
- Q_gd(典型值) = 11nC
- C_iss(典型值) = 3400pF