- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD8586(UMW)
N沟道 耐压:20V 电流:35A
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD8586(UMW)
- 商品编号
- C18295983
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.48836克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.865nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 335pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。其优化重点在于实现低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
商品特性
- VDS(V) = 20 V
- ID = 35 A
- RDS(ON) < 5.5 mΩ (VGS = 10 V)
- RDS(ON) < 8.5 mΩ (VGS = 4.5 V)
- 低栅极电阻
- 低栅极电荷：Qg(TOT) = 34 nC (典型值)，VGS = 10 V
应用领域
- 台式电脑和服务器的核心电压DC-DC转换
- 中间总线架构的电压调节模块