- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD068AN03L(UMW)
耐压:30V 电流:35A
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- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD068AN03L(UMW)
- 商品编号
- C18295977
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.488克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.525nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 490pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 漏源电压(V_DS(ON)) = 30V
- 漏极电流(ΔI_D) = 35A (V_GS = 10V)
- 漏源导通电阻(R_DS(ON)) < 5.7 mΩ (V_GS = 10V)
- 漏源导通电阻(R_DS(ON)) < 6.8 mΩ (V_GS = 4.5V)
- 低米勒电荷
- 低反向恢复电荷(Qrr)体二极管
- 具备非钳位感性开关能力（单脉冲和重复脉冲）
应用领域
- 12V汽车负载控制
- 起动机/发电机系统
- 电子助力转向系统
- 防抱死制动系统
- DC-DC转换器