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FDD044AN03L(UMW)实物图
  • FDD044AN03L(UMW)商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD044AN03L(UMW)

耐压:30V 电流:35A

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商品型号
FDD044AN03L(UMW)
商品编号
C18295978
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.487385克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))3.2mΩ@10V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)91nC@10V
输入电容(Ciss)5.16nF
反向传输电容(Crss)590pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)990pF

商品概述

CMSA6404将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的 RDS(on)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 30 V
  • 漏极电流(ID) = 35 A(栅源电压VGS = 10 V)
  • 导通电阻RDS(ON) < 3.9 mΩ(栅源电压VGS = 10 V)
  • 导通电阻RDS(ON) < 4.4 mΩ(栅源电压VGS = 4.5 V)
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷(Qrr)体二极管
  • 非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)

应用领域

  • 12V汽车负载控制
  • 起动机/交流发电机系统
  • 电子动力转向系统
  • 防抱死制动系统(ABS)
  • 直流-直流转换器

数据手册PDF