- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD7030BL(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:56A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD7030BL(UMW)
- 商品编号
- C18295980
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4756克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提升采用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)、快速开关速度以及在小封装内实现极低的RDS(ON)进行了优化。
商品特性
- VDS(V) = 30V
- ID = 56A
- RDS(ON) < 9.5 mΩ (VGS = 10V)
- RDS(ON) < 13 mΩ (VGS = 4.5V)
- 低栅极电荷
- 快速开关