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IRFR1018ETR(UMW)
N沟道 耐压:60V 电流:79A
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- 描述
- 特性：VDS(V)=60V。 ID = 47A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 8.4mΩ (VGS = 10V)。 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRFR1018ETR(UMW)
- 商品编号
- C18295974
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.479042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.29nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
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