温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDD4685(UMW)
P沟道 耐压:40V 电流:8.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：该P沟道MOSFET采用相关技术制造，可实现低导通电阻和良好的开关特性，在应用中表现出色。 VDS(V) = -40V。 ID = -8.4A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 27mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = -4.5V)。 符合RoHS标准。 采用高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDD4685(UMW)
- 商品编号
- C18295972
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45768克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 345pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交10单