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STD13NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- 特性：100%雪崩测试。 低输入电容和栅极电荷。 低栅极输入电阻。应用：开关应用
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD13NM60N
- 商品编号
- C183190
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.584克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
这些器件为采用第二代MDmesh技术开发的N沟道功率MOSFET。这款革命性功率MOSFET将垂直结构与该公司的条形布局相结合，实现了极低的导通电阻和栅极电荷。因此，它适用于要求最为严苛的高效转换器。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用