温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STGW30H60DFB
600V 60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 600 V、30 A高速沟槽栅场截止HB系列IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW30H60DFB
- 商品编号
- C183255
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.777778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 260W | |
| 输出电容(Coes) | 101pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 120A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@30A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 7V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 149nC | |
| 输入电容(Cies) | 3.659nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 37ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 146ns | |
| 导通损耗(Eon) | 383uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 293uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 53ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 76pF |
优惠活动
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
相似推荐
其他推荐