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STN4NF20L
1个N沟道 耐压:200V 电流:1A
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- 描述
- 这款采用独特的STripFET™工艺实现的N沟道200 V器件，专门为最小化输入电容和栅极电荷而设计。因此，它适合用作先进高效隔离式DC - DC转换器中的初级开关。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STN4NF20L
- 商品编号
- C183261
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.55Ω@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
这款采用独特的STripFET工艺实现的N沟道200 V器件,专门设计用于最小化输入电容和栅极电荷。因此,它适合作为先进高效隔离式DC-DC转换器中的初级开关。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
- 出色的dv/dt能力
应用领域
- 开关应用
- BCP68,115
- SBAS16LT1G
- BC817-25W,115
- BZX84-C22,215
- BZX84-B5V6,215
- PMST3904,115
- BZV55-C5V6,115
- SN74LVC2G126DCTR
- FFC连接线/FFC连接线 28P 间距1MM 长25CM 同向 袋装
- FBF25FPPR100-00L
- SCF025-1206R
- SCF035-1210R
- SCF075-1206R
- SCF160-1812R
- SCF185-2920R
- SCF250-2920R
- 24LC1025T-I/SM
- TMP123AIDBVR
- SGM2031-3.3YUDH4G/TR
- SGM2031-1.8YUDH4G/TR
- SGM2554AYN5G/TR