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STD2NK100Z
1个N沟道 耐压:1000V 电流:1.85A
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- 描述
- N沟道,1000V,1.85A,8.5Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD2NK100Z
- 商品编号
- C183635
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5Ω@10V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@800V | |
| 输入电容(Ciss) | 499pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
SuperMESH系列是通过对成熟的基于条形的PowerMESH布局进行极致优化而得。除了显著降低导通电阻外，还特别确保了该系列在最严苛应用中具备出色的dv/dt能力。此系列完善了全系列高压功率MOSFET。
商品特性
- 极高的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 栅极电荷最小化
- 极低的固有电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用
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