温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STD18NF25
1个N沟道 耐压:250V 电流:17A
- 描述
- 汽车级N沟道250 V、0.14 Ohm、17 A低栅极电荷STripFET II功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD18NF25
- 商品编号
- C183634
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用独特的STripFET工艺开发，该工艺专门用于最小化输入电容和栅极电荷。这使得该器件适合用作电信和计算机应用中的先进高效隔离式DC-DC转换器的初级开关，以及对栅极电荷驱动要求较低的应用。
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 出色的dv/dt能力
- 100%雪崩测试
- 低栅极电荷
应用领域
- 开关应用
相似推荐
其他推荐