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STGW20H60DF
STGW20H60DF
- 描述
- 600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW20H60DF
- 商品编号
- C183256
- 商品封装
- TO-247AC-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 167W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 40A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 80A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.75nF | |
| 输出电容(Coes) | 110pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 65pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 42.5ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 177ns | |
| 导通损耗(Eon) | 209uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 261uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 90ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
该器件是采用先进专有沟槽栅极和场截止结构开发的IGBT。该IGBT系列在导通损耗和开关损耗之间实现了平衡，最大限度地提高了超高频转换器的效率。此外，正的V_CE(sat)温度系数和非常紧密的参数分布使并联操作更容易。
商品特性
- 高速开关
- 参数分布紧密
- 安全并联
- 低热阻
- 短路额定
- 超快软恢复反并联二极管
应用领域
- 电机控制
- UPS、PFC