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耐压:600V 电流:40A

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ST(意法半导体)
品  牌: ST(意法半导体)
厂家型号: STGW20H60DF

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商品编号: C183256

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封装: TO-247AC-3
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商品毛重: 6.5克(g)
包装方式: 管装
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商品介绍

600 V、20 A高速沟槽栅场截止IGBT
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属性 参数值
商品目录 IGBT管/模块
IGBT类型 FS(场截止)
集射极击穿电压(Vces) 600V
集电极电流(Ic) 40A
功率(Pd) 167W
栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) 2V@15V,20A
栅极电荷(Qg@Ic,Vge) 115nC
输入电容(Cies@Vce) -
开启延迟时间(Td(on)) 42.5ns
关断延迟时间(Td(off)) 177ns
导通损耗(Eon) 0.209mJ
关断损耗(Eoff) 0.261mJ
反向恢复时间(Trr) 90ns
工作温度 -55℃~+175℃@(Tj)

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