温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AP9467AGH-VB
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AP9467AGH-VB
- 商品编号
- C18212461
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 312W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA；2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.38nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
相似推荐
其他推荐
- TK35S04K3L-VB
- SI4532CDY-T1-GE3-VB
- ZXMN6A09KTC-VB
- IRF3415STRPBF-VB
- APM2301AC-TRL-VB
- FQD3N50CTF-VB
- RU40120R-VB
- IRLH5036TRPBF-VB
- IPD60R3K3C6-VB
- BUK96180-100A-VB
- RU1HE12L-VB
- IRFR3911TRPBF-VB
- DMG3414U-7-VB
- AP4409AGEM-VB
- IRF9Z24NSPBF-VB
- IRF9Z24NSTRLPBF-VB
- IRFZ24NSPBF-VB
- XP151A13A0MRN-VB
- RSR025P03TL-VB
- SQ3427EEV-T1-GE3-VB
- AP9938GEM-HF-VB